摘要：分別以高純石墨、細顆粒石墨及低密度的C/C復合材料為基體,以MTS為SiC的先驅體原料,采用化學氣相沉積工藝制備SiC涂層.通過掃描電鏡(SEM)觀察CVDSiC涂層的微觀形貌,利用X射線衍射儀(XRD)分析其晶體結構.研究發現,在不同沉積基體上沉積的SiC晶體形貌不同.以高純石墨為基體的試樣表面基本不存在SiC晶須的生長特征;以細顆粒石墨為基體的試樣的表面發現了SiC晶須的生長特征,且基體內部的SiC晶體具有一定的CVI特征,即靠近基體內部沉積的SiC晶體逐漸由SiC晶須變為SiC納米線;以C/C復合材料為基體的試樣內部和表面沉積的SiC晶體表現出多元化的形貌,以層狀SiC晶體和SiC晶須為主,主要是由基體材料微觀結構的多元化而導致沉積的微區氣氛有所不同造成的.