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電流密度對硫酸鹽光亮鍍錫的影響
高簣遙; 王守緒; 陳苑明; 陳世金; 何為; 彭勇強 電子科技大學材料與能源學院; 四川成都610054; 博敏電子股份有限公司; 廣東梅州514700; 奈電軟性科技電子(珠海)有限公司; 廣東珠海519040
- 電流密度
- 光亮鍍錫
- 硫酸鹽
摘要：在電流密度為0.01~0.05 A/cm^2的條件下進行光亮錫鍍。研究了電流密度對陰極過電位、電流效率及鍍層厚度的影響,并用SEM和XRD對鍍層的表面形貌和晶粒的擇優取向進行了表征。結果表明:隨著電流密度的增大,陰極過電位和鍍層厚度不斷增加,電流效率先增大后減小。在較低的電流密度下得到的鍍層表面較為均勻、致密;當電流密度高于0.03 A/cm^2時,鍍層表面出現較多孔隙,粗糙度增加。不同電流密度下,晶粒的擇優取向不同。當電流密度高于0.03 A/cm^2時,晶粒的擇優取向由(101)晶面和(211)晶面向(220)晶面轉變。
- 電流密度
- 光亮鍍錫
- 硫酸鹽
摘要：在電流密度為0.01~0.05 A/cm^2的條件下進行光亮錫鍍。研究了電流密度對陰極過電位、電流效率及鍍層厚度的影響,并用SEM和XRD對鍍層的表面形貌和晶粒的擇優取向進行了表征。結果表明:隨著電流密度的增大,陰極過電位和鍍層厚度不斷增加,電流效率先增大后減小。在較低的電流密度下得到的鍍層表面較為均勻、致密;當電流密度高于0.03 A/cm^2時,鍍層表面出現較多孔隙,粗糙度增加。不同電流密度下,晶粒的擇優取向不同。當電流密度高于0.03 A/cm^2時,晶粒的擇優取向由(101)晶面和(211)晶面向(220)晶面轉變。
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