首頁 > 期刊 > 自然科學(xué)與工程技術(shù) > 基礎(chǔ)科學(xué) > 物理學(xué) > 低溫物理學(xué)報 > 基于silvaco-TCAD的In0.53Ga0.47As/InP紅外探測器的仿真 【正文】
基于silvaco-TCAD的In0.53Ga0.47As/InP紅外探測器的仿真
陳豪; 肖清泉; 袁正兵; 王坤; 黎業(yè)羽; 史嬌娜; 謝泉; 陸書龍 貴州大學(xué)大數(shù)據(jù)與信息工程學(xué)院; 貴陽550025; 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件與應(yīng)用重點實驗室; 蘇州215123
- inp倍增層
- 擊穿電壓
- 貫穿電壓
摘要：采用silvaco-TCAD研究In0.53Ga0.47As/InP SAGCM-APD光電探測器,對探測器的結(jié)構(gòu)參數(shù)對器件的電場分布、擊穿電壓和貫穿電壓的影響進行仿真分析.研究表明電荷層對器件內(nèi)部電場起到更好的調(diào)節(jié)作用,但過高的電荷層面密度會導(dǎo)致APD探測器的擊穿電壓與貫穿電壓之差減小.倍增層厚度的增加使擊穿電壓先減小后增高,貫穿電壓線性增加,同時耗盡層寬度變大,使器件電容減小.當(dāng)倍增區(qū)厚度1μm、偏壓為-5V時,器件電容密度達到了4.5×10-17F/μm.反向偏置電壓為30V時,APD探測器在1.31μm和1.55μm波長下的響應(yīng)度分別達到1A/W和1.1A/W.
- inp倍增層
- 擊穿電壓
- 貫穿電壓
摘要：采用silvaco-TCAD研究In0.53Ga0.47As/InP SAGCM-APD光電探測器,對探測器的結(jié)構(gòu)參數(shù)對器件的電場分布、擊穿電壓和貫穿電壓的影響進行仿真分析.研究表明電荷層對器件內(nèi)部電場起到更好的調(diào)節(jié)作用,但過高的電荷層面密度會導(dǎo)致APD探測器的擊穿電壓與貫穿電壓之差減小.倍增層厚度的增加使擊穿電壓先減小后增高,貫穿電壓線性增加,同時耗盡層寬度變大,使器件電容減小.當(dāng)倍增區(qū)厚度1μm、偏壓為-5V時,器件電容密度達到了4.5×10-17F/μm.反向偏置電壓為30V時,APD探測器在1.31μm和1.55μm波長下的響應(yīng)度分別達到1A/W和1.1A/W.
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低溫物理學(xué)報
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- 科學(xué) 快捷分類
- 雙月刊 出版周期
主管單位：中國科學(xué)院;主辦單位：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
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