摘要：為了進(jìn)一步提升電能轉(zhuǎn)換效率,介紹了一款基于650 V氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(gallium nitride high electron mobility transistor)的共柵共源級(jí)聯(lián)(cascode)結(jié)構(gòu)開關(guān)管及其在無線電能傳輸方面的應(yīng)用。在GaN HEMT器件設(shè)計(jì)方面,通過仿真討論了器件的場(chǎng)板設(shè)計(jì)對(duì)電容和電場(chǎng)的影響。所制造的cascode器件在650 V時(shí)漏電約為2 μA,在源漏電壓400 V時(shí)輸入電容Ciss、輸出電容Coss和反向傳輸電容Crss分別為1 500 pF、32 pF和12 pF,動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻升高約16%。基于該款cascode器件設(shè)計(jì)并展示了一款240~320 kHz、滿載功率1 kW的無線充電樣機(jī),在200~1 000 W負(fù)載范圍內(nèi)效率明顯高于Si器件,最高效率超過95%。