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籽晶偏向?qū)Ω呒儼虢^緣4H-SiC晶體影響的研究
侯曉蕊; 王英民; 魏汝省; 李斌; 王利忠; 田牧; 劉燕燕; 淮珍; 王程; 王光耀 山西爍科晶體有限公司; 山西太原030024; 中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所; 山西太原030024
- 籽晶
- 晶片缺陷
- 結(jié)晶質(zhì)量
- 電學(xué)性能
摘要：采用PVT法得到高純4H-SiC體單晶。研究了0°、1°、4°晶體對(duì)晶體臺(tái)階流、晶體結(jié)晶質(zhì)量、晶體缺陷、晶體電學(xué)性能的影響;晶體臺(tái)階流采用奧林巴斯顯微鏡進(jìn)行表征,晶體缺陷采用萊卡體系顯微鏡進(jìn)行表征,晶體結(jié)晶質(zhì)量采用高分辨XRD進(jìn)行表征,晶體電學(xué)性能采用非接觸電阻率測(cè)試儀進(jìn)行表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:4°籽晶生長(zhǎng)的晶體缺陷最少,1°與4°籽晶生長(zhǎng)的晶體結(jié)晶質(zhì)量相當(dāng),0°籽晶生長(zhǎng)的晶體電學(xué)性能最均勻。
- 籽晶
- 晶片缺陷
- 結(jié)晶質(zhì)量
- 電學(xué)性能
摘要：采用PVT法得到高純4H-SiC體單晶。研究了0°、1°、4°晶體對(duì)晶體臺(tái)階流、晶體結(jié)晶質(zhì)量、晶體缺陷、晶體電學(xué)性能的影響;晶體臺(tái)階流采用奧林巴斯顯微鏡進(jìn)行表征,晶體缺陷采用萊卡體系顯微鏡進(jìn)行表征,晶體結(jié)晶質(zhì)量采用高分辨XRD進(jìn)行表征,晶體電學(xué)性能采用非接觸電阻率測(cè)試儀進(jìn)行表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:4°籽晶生長(zhǎng)的晶體缺陷最少,1°與4°籽晶生長(zhǎng)的晶體結(jié)晶質(zhì)量相當(dāng),0°籽晶生長(zhǎng)的晶體電學(xué)性能最均勻。
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電子工業(yè)專用設(shè)備
- 預(yù)計(jì)1個(gè)月內(nèi) 預(yù)計(jì)審稿周期
- 0.19 影響因子
- 電子 快捷分類
- 雙月刊 出版周期
主管單位：中國電子科技集團(tuán)公司;主辦單位：中國電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所
