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部分埋氧的超結(jié)Trench VDMOS的設(shè)計(jì)與研究
問磊; 范文天; 徐申 東南大學(xué)國(guó)家專用集成電路系統(tǒng)工程技術(shù)研究中心; 南京210096
- trench
- vdmos
- 超結(jié)
- 抗輻照
- soi
摘要：在原有的超結(jié)Trench VDMOS技術(shù)的基礎(chǔ)上引入部分埋氧層,設(shè)計(jì)了一種新型的部分埋氧的抗輻照超結(jié)溝槽功率器件。在Sentaurus TCAD軟件環(huán)境下,使用SDE和Sdevice仿真模擬,通過調(diào)節(jié)部分埋氧層的長(zhǎng)度,埋氧深度以及厚度等參數(shù),對(duì)其耐壓,導(dǎo)通電阻,動(dòng)態(tài)特性以及抗輻照能力進(jìn)行仿真和分析。當(dāng)埋氧層深度為0.8 μm,埋氧層長(zhǎng)度0.4 μm,其耐壓相對(duì)于傳統(tǒng)的超結(jié)Trench VDMOS提高了10%, Vgate=4.5V時(shí)Rdson為7.74E4 Ω·μm,器件抗輻照能力大大提高。
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- 抗輻照
- soi
摘要：在原有的超結(jié)Trench VDMOS技術(shù)的基礎(chǔ)上引入部分埋氧層,設(shè)計(jì)了一種新型的部分埋氧的抗輻照超結(jié)溝槽功率器件。在Sentaurus TCAD軟件環(huán)境下,使用SDE和Sdevice仿真模擬,通過調(diào)節(jié)部分埋氧層的長(zhǎng)度,埋氧深度以及厚度等參數(shù),對(duì)其耐壓,導(dǎo)通電阻,動(dòng)態(tài)特性以及抗輻照能力進(jìn)行仿真和分析。當(dāng)埋氧層深度為0.8 μm,埋氧層長(zhǎng)度0.4 μm,其耐壓相對(duì)于傳統(tǒng)的超結(jié)Trench VDMOS提高了10%, Vgate=4.5V時(shí)Rdson為7.74E4 Ω·μm,器件抗輻照能力大大提高。
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