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基于球差校正掃描透射電鏡的快離子導體β-Ag2S中Ag占位表征
劉軍; 陳陸; 王勇; 張澤 浙江大學電子顯微鏡中心; 材料科學與工程學院; 硅材料國家重點實驗室; 浙江杭州310027
- 球差校正
- stem
- 原子占位
摘要：目前學界對β-Ag2S快離子導體中Ag原子占位仍未認識清楚,而這一問題對理解β-Ag2S的導電機理等特性具有重要意義。本文首次報道了基于球差校正掃描透射電鏡(STEM)的β-Ag2S快離子導體中Ag原子占位表征。沿[100]β、[110]β、[210]β和[111]β方向的原子級分辨率高角環形暗場(HAADF)像與QSTEM軟件高分辨模擬圖像對比結果表明Ag原子在6(b)、12(d)和24(h)三類間隙均有分布。原位加熱實驗結果表明,當溫度上升到300℃時Ag原子占位并未發生明顯變化。本文為理解β-Ag2S的結構提供了直接的重要信息。
- 球差校正
- stem
- 原子占位
摘要：目前學界對β-Ag2S快離子導體中Ag原子占位仍未認識清楚,而這一問題對理解β-Ag2S的導電機理等特性具有重要意義。本文首次報道了基于球差校正掃描透射電鏡(STEM)的β-Ag2S快離子導體中Ag原子占位表征。沿[100]β、[110]β、[210]β和[111]β方向的原子級分辨率高角環形暗場(HAADF)像與QSTEM軟件高分辨模擬圖像對比結果表明Ag原子在6(b)、12(d)和24(h)三類間隙均有分布。原位加熱實驗結果表明,當溫度上升到300℃時Ag原子占位并未發生明顯變化。本文為理解β-Ag2S的結構提供了直接的重要信息。
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