摘要：為了系統地研究Br的引入對CuBrxI1-x薄膜發光強度和衰減時間的影響,通過氣相沉積法在Si片上制備了CuBrxI1-x(0≤x≤1)閃爍薄膜,并測試了薄膜的發光性能和衰減曲線。結果表明,所制備的樣品具有良好的CuBrxI1-x(0≤x≤1)固溶體結晶性;相對于長波段的深能級發射,CuBrxI1-x薄膜均表現出較強的光致和X射線激發近帶邊發射,且發射強度隨Br含量的增加而大幅增加,有利于提高閃爍器件的探測效率;不過薄膜的發光衰減時間會隨Br含量的增加而變慢(40~300 ps)。本研究工作對于通過選擇合適組分的CuBrxI1-x閃爍材料以平衡探測效率和時間響應的測量需求具有重要意義。