首頁 > 期刊 > 自然科學與工程技術 > 工程科技I > 化學 > 高等學校化學學報 > 大片單層低缺陷MXene的制備及其膜材料的電磁屏蔽性能 【正文】
大片單層低缺陷MXene的制備及其膜材料的電磁屏蔽性能
呂通; 張恩爽; 原因; 樊志敏; 馬向雨; 成中軍; 劉宇艷; 宮元勛; 趙宏杰 航天特種材料及工藝技術研究所; 北京100074; 哈爾濱工業大學化工與化學學院; 新能源轉換與儲存關鍵材料技術工業和信息化部重點實驗室; 哈爾濱工業大學基礎與交叉科學研究院; 哈爾濱150001
- 屏蔽材料
- mxene
- 大片
- 高性能
摘要：采用原位生成氫氟酸法刻蝕Ti3AlC2制備了單片層二維過渡金屬碳化物(MXene),用掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)及原子力顯微鏡(AFM)等表征了MXene的微觀形貌.結果表明,所制備的MXene材料具有大片、單層及低缺陷等特點.通過抽濾MXene分散液制備的MXene膜材料具有導電性高(3280 S/cm)及韌性優異等特點.MXene膜的屏蔽性能測試結果表明,8μm厚的MXene膜屏蔽效能為60.6d B,SSE/t值則高達19531.1 d B·cm^2·g^-1.推測MXene膜的屏蔽機理是一種以吸收為主的電磁干擾屏蔽機制.
- 屏蔽材料
- mxene
- 大片
- 高性能
摘要：采用原位生成氫氟酸法刻蝕Ti3AlC2制備了單片層二維過渡金屬碳化物(MXene),用掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)及原子力顯微鏡(AFM)等表征了MXene的微觀形貌.結果表明,所制備的MXene材料具有大片、單層及低缺陷等特點.通過抽濾MXene分散液制備的MXene膜材料具有導電性高(3280 S/cm)及韌性優異等特點.MXene膜的屏蔽性能測試結果表明,8μm厚的MXene膜屏蔽效能為60.6d B,SSE/t值則高達19531.1 d B·cm^2·g^-1.推測MXene膜的屏蔽機理是一種以吸收為主的電磁干擾屏蔽機制.
注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
