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AlGaN基日盲紫外探測器外延關(guān)鍵技術(shù)
譚波; 何炬; 陳景文; 單茂誠; 戴江南; 陳長清 華中科技大學(xué)武漢光電國家研究中心; 武漢430076
- algan
- 日盲紫外探測器
- mocvd外延生長
摘要：以AlGaN為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料是制備紫外探測器等光電器件的關(guān)鍵材料,是近年來國內(nèi)外研究的熱點。然而由于缺乏同質(zhì)外延襯底,異質(zhì)外延獲得的AlGaN材料晶體質(zhì)量普遍較差且高Al組分AlGaN摻雜困難,嚴(yán)重限制了紫外探測器的性能。制備高性能AlGaN基日盲紫外探測器的關(guān)鍵是外延生長高質(zhì)量的AlGaN材料并實現(xiàn)高效摻雜。本文綜述了AlGaN基日盲紫外探測器材料外延生長的關(guān)鍵技術(shù)以及國內(nèi)外研究進(jìn)展等。
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- mocvd外延生長
摘要：以AlGaN為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料是制備紫外探測器等光電器件的關(guān)鍵材料,是近年來國內(nèi)外研究的熱點。然而由于缺乏同質(zhì)外延襯底,異質(zhì)外延獲得的AlGaN材料晶體質(zhì)量普遍較差且高Al組分AlGaN摻雜困難,嚴(yán)重限制了紫外探測器的性能。制備高性能AlGaN基日盲紫外探測器的關(guān)鍵是外延生長高質(zhì)量的AlGaN材料并實現(xiàn)高效摻雜。本文綜述了AlGaN基日盲紫外探測器材料外延生長的關(guān)鍵技術(shù)以及國內(nèi)外研究進(jìn)展等。
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功能材料與器件學(xué)報
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主管單位：中國科學(xué)院;主辦單位：中國材料研究學(xué)會;中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
