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高電流密度金剛石肖特基勢壘二極管研究
郁鑫鑫; 周建軍; 王艷豐; 邱風(fēng); 孔月嬋; 王宏興; 陳堂勝 南京電子器件研究所; 微波毫米波單片和模塊電路重點實驗室; 南京210016; 西安交通大學(xué); 電子與信息工程學(xué)院; 西安710049
- 金剛石
- 肖特基二極管
- 高電流密度
摘要：報道了一種具有高正向電流密度和高反向擊穿場強(qiáng)的垂直型金剛石肖特基勢壘二極管器件。采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)技術(shù)在高摻p+單晶金剛石襯底上外延了一層275 nm厚的低摻p-金剛石漂移層,并通過在樣品背面和正面分別制備歐姆和肖特基接觸電極完成了器件的研制。歐姆接觸比接觸電阻率低至1.73×10-5Ω·cm^2,肖特基接觸理想因子1.87,勢壘高度1.08 eV。器件在正向-10 V電壓時的電流密度達(dá)到了22 000 A/cm^2,比導(dǎo)通電阻0.45 mΩ·cm^2,整流比1×1010以上。器件反向擊穿電壓110 V,擊穿場強(qiáng)達(dá)到了4 MV/cm。
- 金剛石
- 肖特基二極管
- 高電流密度
摘要：報道了一種具有高正向電流密度和高反向擊穿場強(qiáng)的垂直型金剛石肖特基勢壘二極管器件。采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)技術(shù)在高摻p+單晶金剛石襯底上外延了一層275 nm厚的低摻p-金剛石漂移層,并通過在樣品背面和正面分別制備歐姆和肖特基接觸電極完成了器件的研制。歐姆接觸比接觸電阻率低至1.73×10-5Ω·cm^2,肖特基接觸理想因子1.87,勢壘高度1.08 eV。器件在正向-10 V電壓時的電流密度達(dá)到了22 000 A/cm^2,比導(dǎo)通電阻0.45 mΩ·cm^2,整流比1×1010以上。器件反向擊穿電壓110 V,擊穿場強(qiáng)達(dá)到了4 MV/cm。
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固體電子學(xué)研究與進(jìn)展
- 預(yù)計1-3個月 預(yù)計審稿周期
- 0.29 影響因子
- 電子 快捷分類
- 雙月刊 出版周期
主管單位：中國電子科技集團(tuán)公司;主辦單位：南京電子器件研究所
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