摘要：研究了一種石墨烯/銦砷量子點/砷化鎵界面形成的異質結探測器的暗電流特性以及光電響應性質.雖然石墨烯具有很高的電子遷移率,但受限于較低的光子吸收率,使其在光電探測領域的應用受到了限制.而半導體量子點具有量子效率高,光吸收能力強等獨特優點.于是利用石墨烯-砷化銦量子點-砷化鎵異質結結構制備了一種新型光電探測器.并對該探測器的響應率、I-V 特性曲線、暗電流特性、探測率、開關比等關鍵性能進行了研究.其在637 nm 入射光情況下的響應率、探測率以及開關比可分別達到為17. 0 mA/W、2. 3 × 1010cmHz1 /2 W- 1 和1 × 103 .而當入射光為近紅外波段的940 納米時,響應率進一步增加到了207 mA/W.同時,還證實了該器件的暗電流、肖特基勢壘高度和理想因子對溫度的都具有較高的依賴性都較強.