首頁 > 期刊 > 自然科學與工程技術 > 信息科技 > 無線電電子學 > 紅外與毫米波學報 > 數(shù)字遞變異變贗襯底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光電探測器的性能改進 【正文】
數(shù)字遞變異變贗襯底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光電探測器的性能改進
師艷輝; 楊楠楠; 馬英杰; 顧溢; 陳星佑; 龔謙; 張永剛 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室; 上海200050; 中國科學院大學; 北京100049; 中國科學院上海技術物理研究所傳感技術聯(lián)合國家重點實驗室; 上海200083; 中國科學院上海技術物理研究所紅外成像材料與器件重點實驗室; 上海200083
- 數(shù)字遞變
- 異變
- 緩沖
- ingaas
- 光電探測器
摘要：研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 數(shù)字遞變異變緩沖層結構( DGMB)的總周期數(shù)對2. 6 μm 延伸波長In0. 83Ga0. 17As 光電二極管性能的影響.實驗表明,在保持總緩沖層厚度不變的情況下,通過將在InP 襯底上生長的In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As DGMB 結構的總周期數(shù)從19 增加到38,其上所生長的In0. 83 Ga0. 17 As /In0. 83Al0. 17As 光電二極管材料層的晶體質量得到了顯著改善.對于在總周期數(shù)為38 的DGMB 上外延的In0. 83Ga0. 17As 光電二極管,觀察到其應變弛豫度增加到99. 8%,表面粗糙度降低,光致發(fā)光強度和光響應度均增強,同時暗電流水平被顯著抑制.這些結果表明,隨著總周期數(shù)目的增加,DGMB 可以更有效地抑制穿透位錯的傳遞并降低殘余缺陷密度.
- 數(shù)字遞變
- 異變
- 緩沖
- ingaas
- 光電探測器
摘要：研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 數(shù)字遞變異變緩沖層結構( DGMB)的總周期數(shù)對2. 6 μm 延伸波長In0. 83Ga0. 17As 光電二極管性能的影響.實驗表明,在保持總緩沖層厚度不變的情況下,通過將在InP 襯底上生長的In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As DGMB 結構的總周期數(shù)從19 增加到38,其上所生長的In0. 83 Ga0. 17 As /In0. 83Al0. 17As 光電二極管材料層的晶體質量得到了顯著改善.對于在總周期數(shù)為38 的DGMB 上外延的In0. 83Ga0. 17As 光電二極管,觀察到其應變弛豫度增加到99. 8%,表面粗糙度降低,光致發(fā)光強度和光響應度均增強,同時暗電流水平被顯著抑制.這些結果表明,隨著總周期數(shù)目的增加,DGMB 可以更有效地抑制穿透位錯的傳遞并降低殘余缺陷密度.
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