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基站與終端電磁暴露研究
常天宇; 武涵; 李彬 國(guó)家無(wú)線電監(jiān)測(cè)中心檢測(cè)中心; 北京100041
- 比吸收率
- 電磁暴露
- 終端
- 基站
摘要：隨著便攜電子產(chǎn)品多元化的日益增長(zhǎng),如物聯(lián)網(wǎng)、VR/AR/MR/XR等新技術(shù)的普及,逐步邁入5G時(shí)代,電磁輻射問(wèn)題也成為焦點(diǎn)。本文通過(guò)理論結(jié)合實(shí)際測(cè)試分析基站和終端兩個(gè)場(chǎng)景對(duì)人體影響情況,僅針對(duì)非電離輻射(分子振動(dòng),無(wú)質(zhì)變)進(jìn)行闡述,非電離輻射不在闡述范圍內(nèi)(x,γ等射線使分子結(jié)構(gòu)發(fā)生變化).
- 比吸收率
- 電磁暴露
- 終端
- 基站
摘要：隨著便攜電子產(chǎn)品多元化的日益增長(zhǎng),如物聯(lián)網(wǎng)、VR/AR/MR/XR等新技術(shù)的普及,逐步邁入5G時(shí)代,電磁輻射問(wèn)題也成為焦點(diǎn)。本文通過(guò)理論結(jié)合實(shí)際測(cè)試分析基站和終端兩個(gè)場(chǎng)景對(duì)人體影響情況,僅針對(duì)非電離輻射(分子振動(dòng),無(wú)質(zhì)變)進(jìn)行闡述,非電離輻射不在闡述范圍內(nèi)(x,γ等射線使分子結(jié)構(gòu)發(fā)生變化).
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