摘要：采用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術在4英寸(1英寸=2.54cm)藍寶石襯底上制備了1.2μm厚的AlN背勢壘的AlGaN/GaN/AlN雙異質(zhì)結高電子遷移率晶體管(HEMT)材料,其AlGaN勢壘層表面粗糙度(RMS)、二維電子氣(2DEG)遷移率以及HEMT材料的彎曲度都較為接近于常規(guī)的高阻GaN背勢壘結構的HEMT材料。由于AlN晶格常數(shù)較小,具有AlN背勢壘的HEMT材料受到了更大的壓應力。通過對比分析兩種HEMT材料所制備的器件發(fā)現(xiàn),受益于AlN背勢壘層更高的禁帶寬度和臨界電場,由AlN背勢壘HEMT材料所制備的器件三端關態(tài)擊穿電壓為常規(guī)高阻GaN背勢壘HEMT器件的1.5倍,緩沖層漏電流則較常規(guī)高阻GaN背勢壘HEMT器件低2~3個數(shù)量級。