摘要：近年來,隨著氧化鎵(Ga2O3)晶體生長技術取得突破性進展,氧化鎵材料及器件的研究與應用成為國際上超寬禁帶半導體領域的研究熱點。綜述了β-Ga2O3襯底的一些優點以及面臨的挑戰,重點介紹了如何實現良好的歐姆接觸。圍繞采用低功函數金屬、表面預處理、襯底摻雜和引入中間層的方法,闡述了目前國際上金屬/β-Ga2O3歐姆接觸的最新研究進展。總結了不同實驗條件下可以獲得的比接觸電阻,目前可以獲得的最低比接觸電阻是4.6×10^-6Ω·cm^2。最后,預測未來金屬/β-Ga2O3歐姆接觸的主要研究方向是提高歐姆接觸的熱穩定性。