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鉭酸鋰黑片的制備與性能研究
龍勇; 于明曉; 李和新; 石自彬; 王璐; 丁雨憧; 徐揚; 吳兆剛 中國電子科技集團公司第二十六研究所; 重慶400060
- 鉭酸鋰
- 還原處理
- 電阻率
- 均勻性
- 晶片
摘要：為了獲得高均勻性、低熱釋電的鉭酸鋰(LT)晶片,采用粉末掩埋法對42°Y-LT晶片進行了還原處理。結果表明,還原處理后的晶片電阻率為3.98×10^10Ω·cm;在365nm處透過率約為36.5%,透過率均勻性為1.15;熱導率為2.66W/(m·K),熱膨脹系數為2.79×10^-6K^-1,滿足器件使用要求。通過聲表面波器件驗證實驗表明,晶片抗靜電能力效果明顯,器件成品率較高,一致性好。
- 鉭酸鋰
- 還原處理
- 電阻率
- 均勻性
- 晶片
摘要：為了獲得高均勻性、低熱釋電的鉭酸鋰(LT)晶片,采用粉末掩埋法對42°Y-LT晶片進行了還原處理。結果表明,還原處理后的晶片電阻率為3.98×10^10Ω·cm;在365nm處透過率約為36.5%,透過率均勻性為1.15;熱導率為2.66W/(m·K),熱膨脹系數為2.79×10^-6K^-1,滿足器件使用要求。通過聲表面波器件驗證實驗表明,晶片抗靜電能力效果明顯,器件成品率較高,一致性好。
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