摘要：空間電荷的特性及分布狀態(tài)直接改變介質(zhì)內(nèi)部電場的強弱,嚴(yán)重影響器件的電學(xué)性能。近年來,納米材料和微納電子器件飛速發(fā)展,在納米量級乃至更小尺度上探測和掌握空間電荷的特征信息成為亟待解決的問題。為此基于脈沖電聲法基本原理,設(shè)計并實現(xiàn)了一種基于太赫茲波和彈光取樣技術(shù)的空間電荷分布測試新方法。基于應(yīng)力雙折射效應(yīng)原理,設(shè)計制作了彈光取樣傳感器,并測試了性能。搭建了空間電荷測試系統(tǒng),對定制硅PN結(jié)試樣進(jìn)行了測試,空間電荷區(qū)寬度隨偏置電壓的變化規(guī)律與PN結(jié)基本電學(xué)特性吻合。該方法采用全光學(xué)技術(shù)手段,克服了傳統(tǒng)電子測試技術(shù)對系統(tǒng)帶寬的限制,實驗結(jié)果表明,該測試方法可以有效且可靠地將空間電荷測試分辨率提升至納米量級。