《半導體信息》雜志論文格式要求：
①參考文獻的序號左頂格，并用數(shù)字加方括號表示，與正文中的引文標示一致，如[1]，[2]……。每一條參考文獻著錄均以“.”結(jié)束。
②摘要應(yīng)包括目的、方法、結(jié)果和結(jié)論四個部分，其中中文摘要約300字，英文摘要約600-800字。關(guān)鍵詞2至5個（中英文）。
③第一作者及通訊作者（一般為導師）簡介（包括姓名、性別、職稱、出生年月、所獲學位、目前主要從事的工作和研究方向）。
④如論文屬于基金項目，需注明基金項目類別、項目名稱及編號，多個項目間以“、”分隔。格式如下：基金名稱“項目名稱”(項目編號)。
⑤所有來稿均要求為原創(chuàng)首發(fā)作品，拒絕一稿多投。嚴禁抄襲，一旦發(fā)現(xiàn)抄襲行為，本社將嚴肅處理。
基本信息
《半導體信息》雜志是由中國半導體行業(yè)協(xié)會分立器件專業(yè)協(xié)會 信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所主管，中國半導體行業(yè)協(xié)會分立器件分會;中國電子科技集團公司第五十五研究所主辦的國內(nèi)外公開發(fā)行的學術(shù)理論期刊，創(chuàng)刊于1990年，是國內(nèi)電子領(lǐng)域具有廣泛影響力的權(quán)威刊物。
該雜志現(xiàn)被維普收錄(中)、國家圖書館館藏、上海圖書館館藏等權(quán)威數(shù)據(jù)庫收錄。
欄目設(shè)置
《半導體信息》雜志欄目涵蓋電子領(lǐng)域多個維度，包括：研究報告、文獻綜述、簡報、專題研究等。
作為一本具有較高學術(shù)水平和影響力的電子雜志，多年來一直致力于推動電子領(lǐng)域的改革與發(fā)展，為電子工作者和研究者提供了一個交流和探索的平臺，對促進我國電子事業(yè)的發(fā)展起到了積極的作用。
《半導體信息》雜志往年文章平均引文率
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