關(guān)于《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》雜志是否接受AI輔助的論文，目前并沒(méi)有明確的官方聲明指出該雜志絕對(duì)接受或拒絕AI輔助撰寫(xiě)的論文，可能會(huì)根據(jù)具體情況進(jìn)行逐案評(píng)估，作者在投稿前可以與雜志社進(jìn)行溝通或咨詢在線客服。

SCI期刊對(duì)AI輔助論文的接受程度因期刊而異，以下是對(duì)SCI期刊接受AI輔助論文情況的詳細(xì)分析：

一、AI輔助論文的使用限制

禁止生成核心內(nèi)容、禁止署名、保證數(shù)據(jù)完整性

二、AI輔助的用途

語(yǔ)言潤(rùn)色，文獻(xiàn)綜述，圖表推薦

三、建議與策略

1.了解目標(biāo)期刊政策：在投稿前，作者應(yīng)仔細(xì)研究目標(biāo)SCI期刊的政策和指南，了解其對(duì)AI輔助論文的態(tài)度和要求。

2.明確聲明AI使用情況：如果論文中使用了AI輔助技術(shù)，作者應(yīng)在投稿時(shí)明確聲明，并提供詳細(xì)的AI使用說(shuō)明和范圍。

3.保持學(xué)術(shù)誠(chéng)信與原創(chuàng)性：作者應(yīng)確保論文的核心內(nèi)容和創(chuàng)新點(diǎn)是由自己獨(dú)立完成的，避免過(guò)度依賴AI生成的內(nèi)容。

4.深度改寫(xiě)與個(gè)性化處理：對(duì)AI生成的內(nèi)容進(jìn)行深度改寫(xiě)和個(gè)性化處理，以體現(xiàn)個(gè)人的學(xué)術(shù)思考和見(jiàn)解。

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》雜志創(chuàng)刊于2006年，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)稱為J NANOELECTRON OPTOE，ISSN號(hào)：1555-130X，E-ISSN號(hào)：1555-1318。

該雜志由AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS出版，出版周期為T(mén)ri-annual，出版語(yǔ)言為English。作為一本專注于工程：電子與電氣-工程技術(shù)領(lǐng)域的學(xué)術(shù)期刊，它被國(guó)際權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE收錄，在學(xué)術(shù)界具有較高的影響力。

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》雜志中文名稱為：納米電子學(xué)與光電子學(xué)雜志。

JNO 是一本跨學(xué)科的同行評(píng)審期刊，整合了納米級(jí)電子和光電子材料和器件、半導(dǎo)體的電子和光學(xué)特性、無(wú)機(jī)、有機(jī)和混合納米結(jié)構(gòu)、超晶格的電子應(yīng)用、量子結(jié)構(gòu)和其他納米結(jié)構(gòu)、新型功能材料和納米結(jié)構(gòu)的光電和光子應(yīng)用、納米電子電路和器件集成、納米制造、加工和表征技術(shù)、信息處理和光通信等領(lǐng)域的所有實(shí)驗(yàn)和理論研究活動(dòng)。

分區(qū)情況：

在中科院最新升級(jí)版分區(qū)表中，該雜志在大類學(xué)科工程技術(shù)中位于4區(qū)，小類學(xué)科ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程：電子與電氣中位于4區(qū)。

JCR分區(qū)信息按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)，該雜志在ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域?yàn)镼4。

聲明：本信息依據(jù)互聯(lián)網(wǎng)公開(kāi)資料整理，若存在錯(cuò)誤，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系我們及時(shí)更正。